英飞凌科技公司已在菲拉赫工厂制备 200 毫米（8 英寸）碳化硅晶圆的电气样品，并正在考虑进军氢能业务

FDA117专为使用浮动电压源控制分立标准功率MOSFET和IGBT而设计，可确保低压驱动输入侧和高压负载输出侧之间的隔离

新的单光子雪崩二极管（SPAD）器件可使得整个近红外（NIR）波段的灵敏度均得到加强，关键波长850纳米和905纳米的灵敏度分别提高40%和35%。

ST54L 可承载多种服务，包括 移动支付、移动公交卡、数字车钥匙等NFC应用，以及需要嵌入式 SIM卡(eSIM)的融合服务

这些通孔元件专为超高饱和电流设计，在=100°C电流范围为32A至83A，电感值3.2 µH~10 µH,直流电阻低至0.85 mΩ或1.2mΩ

新型TA101器件包括CryptoAuthentication™或CryptoAutomotive™安全IC，支持更大的密钥尺寸并符合增强的网络安全要求

全新的OVMed®OH0131 ISP是一款易于实施的解决方案，其先进功能组合可实现较高的图像质量、可靠性和成本效益

这是一条数字化管控的高度自动化产线，可实现最大100多道激光雷达核心环节工序的自动化生产，满足多型号高精度激光雷达量产需求

从2022年至2028年间，MCU预计将以5.2%的复合年均增长率增长，到2028年市场收益将达到320亿美元

这款新编译器专为dsPIC®数字信号控制器 （DSC）优化设计，可为实时应用定制许可选项

国星光电全新推出透明衬底MIP-Y0404器件，通过采用扇出型芯片级封装架构，产品实现了“更小、更亮、更黑、更薄、更广”五大特点

据TrendForce集邦咨询表示，2023~2024年MLCC市场需求进入低速成长期，产业成长空间有限，2023全年MLCC需求量预估约41,930亿颗，年增率仅约3%

三菱电机集团近日宣布，将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件，可阻止电流反向流入负载开关

Pxxx0S3N-A系列的主要优势在于其高功率密度设计，能够承受高达3kA（8/20µs）的浪涌电流和高达6kV的电压，箝位电压非常低

LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1. 12V（伏特）标准范围下运行

该本地分发版本传输的数据量比大陆通信流要少得多，最多可将占用的带宽量减少70%，显著降低用户的数据传输费用。

AW32006ZxxxSPR系列线性充电芯片专门设计用于USB电源规格内工作，不需要外部检测电阻。内部功率管具备28V直流耐压能力

OV05C10是一款1/4.7英寸低功耗、小尺寸BSI图像传感器，具有520万像素分辨率、1.12微米像素尺寸和交错式HDR功能，并支持人体存在检测。

C1200是行业首款搭载Arm Cortex-A78AE车规级高性能CPU核和Mali-G78AE车载GPU的车规级跨域计算芯片。