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高速电路板设计的电路板层堆栈注意事项

为了帮助设计人员更快地设计和构建支持所需布线和信号完整性的高速叠层,我们为不同类别的高速叠层编译了重要资源2

中国首款基于中芯国际40nm车规工艺的MCU发布

Z20K11xN为中国首款基于中芯国际(SMIC) 车规40nm的Cortex M0+的增强型微控制器,Z20K11xN产品系列按照基于功能安全ASIL-D硬件设计和软件研发流程开发,符合AEC-Q100 规范

Omdia预计2024年全球显示驱动芯片需求将复苏并增长6%

根据Omdia最新发布的《显示驱动芯片市场追踪报告 -1Q23》数据库,2023年DDIC总需求预计为79.8亿颗,与2022年持平

如何兼顾高性能和低功耗?这款生物电前端模拟芯片了解一下~

SC2945具备了超低功耗、高增益、高采样率等特性,以确保准确且稳定地捕捉生物电信号

光梓科技推出两款高集成度车规级3D-ToF驱动芯片,助力智能驾驶行业发展

光梓科技推出两款高集成度的车规级3D-ToF驱动芯片,包括iToF驱动芯片PHX3D3018Q,适用于汽车舱内娱乐系统手势识别、驾驶员监控系统、B柱人脸识别等应用

Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%,同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%,该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)。

三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,功耗降低10%,且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%

Vishay推出具有调制载波输出功能,适用于代码学习应用的微型红外传感器模块

器件配置内部设计的新型IC,以引脚兼容方式替换前代解决方案,功耗降低50 %,同时改善性能

多维科技推出新型10pT级高精度低噪声线性磁传感器 — TMR8501

该传感器内部集成了磁场反馈线圈和信号调理电路,可实现10 pT/√Hz@1Hz的低噪声,以及0.05%级线性度、40 PPM级灵敏度温度漂移、500 kHz级带宽,可实现对微弱磁场的高精度快速实时测量

芯海科技新一代EC芯片CSCE2010即将推出 PC生态布局持续完善

CSC2E101是一款主要服务商用级PC市场的32位高性能笔记本电脑EC,具备高性能、高安全、易开发三大特性,针对高端商用市场设计开发

里程碑!中国移动成功研制“破风8676”可重构5G射频收发芯片

“破风8676”芯片是国内首款基于可重构架构设计,可广泛商业应用于5G云基站、皮基站、家庭基站等5G网络核心设备中的关键芯片

长光辰芯发布8K APS-C画幅背照式堆栈CMOS图像传感器

GCINE3243采用了先进的混合堆栈背照式(hybrid stacking BSI)工艺,在保证高量子效率前提下实现了8K超高分辨率下更快的读出速度。

MLCC小间距环保胶带,为提高生产效率做贡献

村田官网陶瓷电容器产品页面最近介绍了新包装方式提案,建议针对0201, 0402, 0603 inch 尺寸使用小间距环保胶带

GaN和SiC,最新判断!

据Yole预测,预计到 2028 年,功率 GAN 市场将占电力电子市场的 6% 以上。其中,消费类快速充电器和适配器仍然是 Power GaN 的主要驱动力

助力能源互联网全面监测,这些感知芯片必不可少

能源互联网这一概念兴起于2010年前后,是指在传统能源系统中增加互联网技术,整合能源数据,实现规模电力消耗预测,优化电网运行以节省能耗

东芝开发出首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

上海贝岭BL370X系列低噪声、高带宽、低失调、工业级运放

BL370X为工业级应用产品,工作温度范围-40℃至+125℃,可广泛使用于电机控制、家用电器控制面板、电池管理系统、手持式测试设备、工业自动化、以及光伏逆变等行业。

圣邦微电子推出 2A、高精度、低噪音、低压差线性稳压器 SGM2049C

SGM2049C 是一款高精度、低噪声、低压差的线性稳压器。它能够提供 2A 输出电流,典型压差仅为 80mV。